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光刻膠(photoresist),亦稱為光阻或光阻劑,是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關(guān)鍵材料,主要應(yīng)用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件的細(xì)微圖形加工。
光刻膠根據(jù)在顯影過程中曝光區(qū)域的去除或保留可分為兩種-正性光刻膠(positive photoresist)和負(fù)性光刻膠(negative photoresist)。
正性光刻膠之曝光部分發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)會(huì)溶于顯影液,而未曝光部份不溶于顯影液,仍然保留在襯底上,將與掩膜上相同的圖形復(fù)制到襯底上。
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